基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111300043.8

申请日：

2021-11-04

公开(公告)号：

CN114023640A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

张丽于子呈于国浩张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L3300 H01L21335 H01L2920 H01L29778 H01L3302

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	公开	公开
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20211104

共 50 条

[1]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640B ,2025-09-26

[2]

混合极性的GaN器件及其制备方法 [P].

黄捷 ;

张国庆 ;

程强 ;

张立星 ;

李剑博 .

中国专利 :CN114883404A ,2022-08-09

[3]

N极性GaN基多层结构、其制备方法及应用 [P].

郭泊含 ;

于国浩 ;

张丽 ;

杨安 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118231459A ,2024-06-21

[4]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092A ,2022-12-02

[5]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092B ,2025-07-08

[6]

N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

黄星悦 .

中国专利 :CN114242815A ,2022-03-25

[7]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

[8]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05

[9]

N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

张景鸿 .

中国专利 :CN114242782A ,2022-03-25

[10]

一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法 [P].

林凡 ;

倪健 ;

许翔 ;

张高俊 ;

周均铭 .

中国专利 :CN119653801A ,2025-03-18

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