一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411748552.0

申请日：

2024-12-02

公开(公告)号：

CN119653801A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

林凡倪健许翔张高俊周均铭

申请人：

埃特曼半导体技术有限公司埃特曼（厦门）光电科技有限公司埃特曼（浙江）半导体技术有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区后溪镇金岭北路159-7号101室

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/47 H10D62/824

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

赵然;李洋

法律状态：

公开

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241202

共 50 条

[1]

N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

黄星悦 .

中国专利 :CN114242815A ,2022-03-25

[2]

一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李国强 ;

李筱婵 ;

李媛 .

中国专利 :CN108010956B ,2018-05-08

[3]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640A ,2022-02-08

[4]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640B ,2025-09-26

[5]

一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

林正梁 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN117410179B ,2025-01-24

[6]

一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

林正梁 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN117410179A ,2024-01-16

[7]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171A ,2020-05-05

[8]

AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法 [P].

付羿 ;

周名兵 .

中国专利 :CN111106171B ,2024-03-19

[9]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092A ,2022-12-02

[10]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092B ,2025-07-08

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