一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311258622.X

申请日：

2023-09-26

公开(公告)号：

CN117410179A

公开(公告)日：

2024-01-16

发明(设计)人：

王文樑林正梁李国强林廷钧

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L21/335

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/06 G16C60/00 G16C20/90

代理机构：

广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205

代理人：

齐键

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/335申请日:20230926
2025-01-24	授权	授权
2024-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

林正梁 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN117410179B ,2025-01-24

[2]

N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

黄星悦 .

中国专利 :CN114242815A ,2022-03-25

[3]

AlGaN-GaN异质结欧姆接触制作方法 [P].

王冲 ;

钟仁骏 ;

陈冲 ;

何云龙 ;

郑雪峰 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103972069A ,2014-08-06

[4]

一种ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结及其制备方法和应用 [P].

田玉 ;

奇志强 ;

朱小龙 ;

郑广 .

中国专利 :CN106784178A ,2017-05-31

[5]

一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法 [P].

林凡 ;

倪健 ;

许翔 ;

张高俊 ;

周均铭 .

中国专利 :CN119653801A ,2025-03-18

[6]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092A ,2022-12-02

[7]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092B ,2025-07-08

[8]

具备混合金属阳极的N极性GaN_AlGaN异质结横向SBD及制备方法 [P].

侯斌 ;

杨凌 ;

朱宥军 ;

常青原 ;

武玫 ;

张濛 ;

芦浩 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120321966A ,2025-07-15

[9]

生长在Si衬底上的AlGaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037282A ,2014-09-10

[10]

金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器及其制备方法和应用 [P].

孙剑文 ;

刘泽文 .

中国专利 :CN118050410A ,2024-05-17

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