一种ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611104904.4

申请日：

2016-12-05

公开(公告)号：

CN106784178A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

田玉奇志强朱小龙郑广

申请人：

申请人地址：

430056 湖北省武汉市武汉经济技术开发区学府路8号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3316 H01L3332 B82Y2000

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

马丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729304412 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2016111049044 申请日:20161205
2017-05-31	公开	公开
2019-12-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20170531

共 50 条

[1]

一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

林正梁 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN117410179B ,2025-01-24

[2]

一种N极性AlGaN-GaN异质结外延结构及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

林正梁 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN117410179A ,2024-01-16

[3]

ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法 [P].

刘志强 ;

程成 ;

伊晓燕 ;

张勇 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109524490B ,2019-03-26

[4]

一种密度可控的ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P].

田玉 ;

奇志强 ;

朱小龙 ;

郑广 .

中国专利 :CN106745191A ,2017-05-31

[5]

一种调制InGaN/GaN异质结薄膜内部极化的方法 [P].

李述体 ;

王幸福 ;

姜健 .

中国专利 :CN111640833B ,2020-09-08

[6]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN104037285B ,2014-09-10

[7]

一种纳米异质结乙烯敏感薄膜及其制备方法和应用 [P].

李娴 ;

王洋 ;

杜晓松 ;

孙洁 ;

李哲敏 .

中国专利 :CN113252738A ,2021-08-13

[8]

一种异质结纳米颗粒及其制备方法和应用 [P].

张作泰 ;

李顺 ;

赵志成 .

中国专利 :CN111589447A ,2020-08-28

[9]

一种钒掺杂ZnO纳米棒阵列光阳极及其制备方法和应用 [P].

张跃 ;

刘怿冲 ;

康卓 .

中国专利 :CN107287615A ,2017-10-24

[10]

一种GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

肖嘉滢 ;

王文樑 ;

曹怡诺 ;

刘力玮 ;

文灿 .

中国专利 :CN119121137A ,2024-12-13

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