N极性GaN基多层结构、其制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410361392.8

申请日：

2024-03-27

公开(公告)号：

CN118231459A

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

郭泊含于国浩张丽杨安张宝顺

申请人：

郭泊含

申请人地址：

325799 浙江省温州市洞头区北岙街道复兴路54号2幢603室

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/20 H01L29/205 H01L29/207 H01L21/335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240327
2024-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640A ,2022-02-08

[2]

基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用 [P].

张丽 ;

于子呈 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114023640B ,2025-09-26

[3]

N极性GaN晶体管结构的制备方法和半导体结构 [P].

李成果 ;

曾巧玉 ;

尹雪兵 ;

葛晓明 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN113471284A ,2021-10-01

[4]

N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

江弘胜 ;

李国强 ;

李林浩 ;

黄星悦 .

中国专利 :CN114242815A ,2022-03-25

[5]

一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法 [P].

林凡 ;

倪健 ;

许翔 ;

张高俊 ;

周均铭 .

中国专利 :CN119653801A ,2025-03-18

[6]

混合极性的GaN器件及其制备方法 [P].

黄捷 ;

张国庆 ;

程强 ;

张立星 ;

李剑博 .

中国专利 :CN114883404A ,2022-08-09

[7]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092A ,2022-12-02

[8]

一种N极性GaN基整流芯片及其制备方法和应用 [P].

王文樑 ;

李善杰 ;

李国强 .

中国专利 :CN115425092B ,2025-07-08

[9]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657B ,2025-06-17

[10]

N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法 [P].

王文樑 ;

李灏 ;

侯冬曼 ;

李国强 ;

林廷钧 .

中国专利 :CN114864657A ,2022-08-05

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