N极性GaN晶体管结构的制备方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110742866.X

申请日：

2021-07-01

公开(公告)号：

CN113471284A

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

李成果曾巧玉尹雪兵葛晓明陈志涛

申请人：

申请人地址：

510651 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

梁晓婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	公开	公开
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210701

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、晶体管结构 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN118785691A ,2024-10-15

[2]

半导体结构及其制备方法、晶体管结构 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN118785691B ,2025-10-03

[3]

晶体管结构、半导体结构及制作晶体管结构的方法 [P].

蔡武卫 ;

陈海清 .

中国专利 :CN115312583A ,2022-11-08

[4]

半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 .

中国专利 :CN112909073A ,2021-06-04

[5]

半导体结构、包括半导体结构的晶体管和制造晶体管的方法 [P].

朴永焕 ;

金钟燮 .

韩国专利 :CN112909073B ,2024-03-15

[6]

半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备 [P].

刘铁 .

中国专利 :CN110534516A ,2019-12-03

[7]

浮体晶体管结构、半导体结构及形成半导体结构的方法 [P].

倩·D·唐 ;

文卡特桑·阿南塔 .

中国专利 :CN101410986A ,2009-04-15

[8]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899B ,2024-09-24

[9]

半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113380899A ,2021-09-10

[10]

鳍型半导体结构、晶体管结构及其制备方法 [P].

刘铁 .

中国专利 :CN108198859A ,2018-06-22

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