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GaN器件结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110350296.X
申请日：
2021-03-31
公开(公告)号：
CN113097291B
公开(公告)日：
2021-07-09
发明(设计)人：
马飞 邹鹏辉 左亚丽 朱伟超
申请人：
申请人地址：
313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
IPC主分类号：
H01L2910
IPC分类号：
H01L2920 H01L2906 H01L2978
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
佟婷婷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-07-09 公开 公开
2021-07-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20210331
2022-08-26 授权 授权
共 50 条
[1]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
郁发新 ;
莫炯炯 .
中国专利 :CN113097151A ,2021-07-09
[2]
一种GaN器件及其制备方法 [P]. 
蒋洋 ;
于洪宇 ;
汪青 ;
郑韦志 ;
乔泽鹏 ;
范梦雅 .
中国专利 :CN112820774A ,2021-05-18
[3]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
莫炯炯 ;
郁发新 ;
王志宇 .
中国专利 :CN113053814A ,2021-06-29
[4]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
莫炯炯 ;
郁发新 .
中国专利 :CN113097070B ,2021-07-09
[5]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
莫炯炯 ;
郁发新 ;
吕贝贝 ;
赵文杰 ;
郎加顺 .
中国专利 :CN112993033B ,2021-06-18
[6]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
王黎明 ;
郑晨焱 ;
肖霞 ;
何雍春 ;
张小辛 .
中国专利 :CN114582725A ,2022-06-03
[7]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
莫炯炯 ;
郁发新 ;
王志宇 .
中国专利 :CN113053842A ,2021-06-29
[8]
GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
马飞 ;
邹鹏辉 ;
周康 ;
邱士起 .
中国专利 :CN113097307B ,2021-07-09
[9]
欧姆接触GaN器件及其制备方法 [P]. 
邹鹏辉 ;
王文博 ;
马飞 ;
李哲 .
中国专利 :CN113889412B ,2022-01-04
[10]
一种低电阻GaN器件结构及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
李善杰 ;
王文樑 ;
邢志恒 .
中国专利 :CN118315421A ,2024-07-09
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