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GaN器件结构及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110350256.5
申请日：
2021-03-31
公开(公告)号：
CN113097307B
公开(公告)日：
2021-07-09
发明(设计)人：
马飞
邹鹏辉
周康
邱士起
申请人：
申请人地址：
313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L2920
H01L21336
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
佟婷婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-07-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210331 |
| 2022-07-19 | 授权 | 授权 |
| 2021-07-09 | 公开 | 公开 |