GaN器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110272079.3

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113053749B

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

郁发新莫炯炯吕贝贝赵文杰

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L2906 H01L2920 H01L29205

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-29	公开	公开
2022-06-21	授权	授权
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210312

共 50 条

[1]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[2]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[3]

GaN器件及制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 .

中国专利 :CN113035935A ,2021-06-25

[4]

一种GaN器件的制备方法及GaN器件 [P].

欧阳爵 ;

张啸 ;

张礼杰 ;

周建军 .

中国专利 :CN117577531A ,2024-02-20

[5]

GaN HEMT器件及制备方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 ;

朱乾坤 .

中国专利 :CN119855209A ,2025-04-18

[6]

一种低电阻GaN器件结构及其制备方法 [P].

李国强 ;

李善杰 ;

王文樑 ;

邢志恒 .

中国专利 :CN118315421A ,2024-07-09

[7]

GaN器件及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111584619A ,2020-08-25

[8]

GaN器件及制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

周康 ;

蔡泉福 ;

郑礼锭 .

中国专利 :CN112864015B ,2021-05-28

[9]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

郎加顺 ;

张立星 .

中国专利 :CN113053748B ,2021-06-29

[10]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

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