GaN器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010469184.1

申请日：

2020-05-28

公开(公告)号：

CN111584619A

公开(公告)日：

2020-08-25

发明(设计)人：

莫炯炯王志宇陈华刘家瑞郁发新

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L2920

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-25	公开	公开
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/20 申请日:20200528
2022-03-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/20 申请公布日:20200825

共 50 条

[1]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[2]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[3]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[4]

GaN器件及制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

周康 ;

蔡泉福 ;

郑礼锭 .

中国专利 :CN112864015B ,2021-05-28

[5]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

郎加顺 ;

张立星 .

中国专利 :CN113053748B ,2021-06-29

[6]

GaN器件及制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 .

中国专利 :CN113035935A ,2021-06-25

[7]

多栅GaN器件及制备方法 [P].

黄捷 ;

左亚丽 ;

朱伟超 ;

邱士起 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035938A ,2021-06-25

[8]

GaN器件的制作方法及GaN器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105655236A ,2016-06-08

[9]

GaN器件结构及制备方法 [P].

赵绪然 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN112509996B ,2021-03-16

[10]

一种GaN器件的制备方法及GaN器件 [P].

欧阳爵 ;

张啸 ;

张礼杰 ;

周建军 .

中国专利 :CN117577531A ,2024-02-20

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