GaN器件结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110158040.9

申请日：

2021-02-05

公开(公告)号：

CN112509996B

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

赵绪然陈鹏

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区教工路149号

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L23373 H01L2920 H01L29772 H01L21335

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	公开	公开
2021-05-11	授权	授权
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20210205

共 50 条

[1]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[2]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[3]

GaN器件及制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

周康 ;

蔡泉福 ;

郑礼锭 .

中国专利 :CN112864015B ,2021-05-28

[4]

石墨烯器件与GaN器件异质集成结构及制备方法 [P].

蔡泉福 ;

魏婷婷 ;

左亚丽 ;

朱伟超 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035783B ,2021-06-25

[5]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

王黎明 ;

郑晨焱 ;

肖霞 ;

何雍春 ;

张小辛 .

中国专利 :CN114582725A ,2022-06-03

[6]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

莫炯炯 ;

郁发新 ;

王志宇 .

中国专利 :CN113053842A ,2021-06-29

[7]

GaN器件散热结构及制备方法 [P].

马飞 ;

冯光建 ;

程明芳 .

中国专利 :CN111564501A ,2020-08-21

[8]

二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111599857B ,2020-08-28

[9]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[10]

GaN器件及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111584619A ,2020-08-25

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