石墨烯器件与GaN器件异质集成结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110269233.1

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113035783B

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

蔡泉福魏婷婷左亚丽朱伟超马飞

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L218258

IPC分类号：

H01L21336 H01L21335 H01L2128 H01L23373 H01L2906 H01L29423 H01L2951 H01L29778 H01L2978 H01L2706

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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共 50 条

[1]

二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111599857B ,2020-08-28

[2]

异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法 [P].

欧欣 ;

石航宁 ;

游天桂 .

中国专利 :CN113097124A ,2021-07-09

[3]

GaN器件结构及制备方法 [P].

赵绪然 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN112509996B ,2021-03-16

[4]

石墨烯与氮化硼异质结构器件的集成 [P].

A·维诺戈帕 ;

L·哥伦布 .

中国专利 :CN111788657A ,2020-10-16

[5]

石墨烯与氮化硼异质结构器件的集成 [P].

A·维诺戈帕 ;

L·哥伦布 .

美国专利 :CN111788657B ,2024-09-10

[6]

石墨烯垂直异质结器件及其制备方法 [P].

李裴森 ;

潘孟春 ;

彭俊平 ;

邱伟成 ;

胡悦国 ;

陈棣湘 ;

胡佳飞 ;

田武刚 ;

张琦 .

中国专利 :CN108470765B ,2018-08-31

[7]

石墨烯结构、石墨烯器件及其制造方法 [P].

贾昆鹏 ;

粟雅娟 ;

朱慧珑 ;

赵超 .

中国专利 :CN104779287B ,2015-07-15

[8]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[9]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[10]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	授权	授权
2021-06-25	公开	公开
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8258 申请日:20210312