石墨烯垂直异质结器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810234998.X
申请日
2018-03-21
公开(公告)号
CN108470765B
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
李裴森 潘孟春 彭俊平 邱伟成 胡悦国 陈棣湘 胡佳飞 田武刚 张琦
申请人
申请人地址
410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L29267 H01L21331
代理机构
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
张鲜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
石墨烯双异质结及其制备方法 [P]. 
辛斌 ;
王香灵 ;
杨文耀 ;
刘文波 ;
夏继宏 .
中国专利 :CN107845567A ,2018-03-27
[2]
一种氮化硼/石墨烯异质结器件 [P]. 
徐明生 ;
王维佳 ;
冯志红 ;
蔚翠 .
中国专利 :CN110828550A ,2020-02-21
[3]
一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法 [P]. 
王浩敏 ;
谢红 ;
王慧山 ;
王秀君 ;
陈令修 ;
贺立 ;
谢晓明 .
中国专利 :CN107634089A ,2018-01-26
[4]
LDH/垂直石墨烯异质结电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王志朋 ;
何明亮 ;
刘美 .
中国专利 :CN117711838A ,2024-03-15
[5]
一种二硫化钼/石墨烯异质结器件 [P]. 
徐明生 ;
王维佳 .
中国专利 :CN110828652B ,2020-02-21
[6]
基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用 [P]. 
郑照强 ;
张其洋 .
中国专利 :CN115498060A ,2022-12-20
[7]
基于石墨烯/二硫化钨/钽镍硒晶体的异质结垂直器件、制备方法及应用 [P]. 
郑照强 ;
张其洋 .
中国专利 :CN115498060B ,2025-08-19
[8]
异质结器件的制备方法和异质结器件 [P]. 
刘吉珍 ;
王旭 ;
王玮 ;
漆明森 ;
武文超 ;
彭星杰 ;
陈嘉浪 ;
朱伟 ;
彭芳 ;
杨毓枢 ;
路迎新 .
中国专利 :CN120417524A ,2025-08-01
[9]
掩埋异质结器件及其制备方法 [P]. 
马钰 ;
李媛媛 ;
李伟江 ;
梁平 ;
胡颖 ;
刘俊岐 ;
王利军 ;
张锦川 ;
刘舒曼 ;
卓宁 ;
翟慎强 ;
刘峰奇 .
中国专利 :CN113991419A ,2022-01-28
[10]
石墨烯器件与GaN器件异质集成结构及制备方法 [P]. 
蔡泉福 ;
魏婷婷 ;
左亚丽 ;
朱伟超 ;
马飞 .
中国专利 :CN113035783B ,2021-06-25