GaN器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110111967.7

申请日：

2021-01-27

公开(公告)号：

CN112864015B

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

邹鹏辉王文博周康蔡泉福郑礼锭

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2128 H01L2906 H01L29417 H01L2945 H01L2940 H01L29778

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[2]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[3]

GaN器件结构及制备方法 [P].

赵绪然 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN112509996B ,2021-03-16

[4]

GaN器件结构及其制备方法 [P].

王黎明 ;

郑晨焱 ;

肖霞 ;

何雍春 ;

张小辛 .

中国专利 :CN114582725A ,2022-06-03

[5]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[6]

GaN器件及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111584619A ,2020-08-25

[7]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

郎加顺 ;

张立星 .

中国专利 :CN113053748B ,2021-06-29

[8]

GaN器件及制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 .

中国专利 :CN113035935A ,2021-06-25

[9]

多栅GaN器件及制备方法 [P].

黄捷 ;

左亚丽 ;

朱伟超 ;

邱士起 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035938A ,2021-06-25

[10]

基于表面处理及氧化工艺的GaN器件及其制备方法 [P].

马飞 ;

冯光建 ;

蔡永清 .

中国专利 :CN111430239B ,2020-07-17

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	授权	授权
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20210127
2021-05-28	公开	公开