多栅GaN器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110272083.X

申请日：

2021-03-12

公开(公告)号：

CN113035938A

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

黄捷左亚丽朱伟超邱士起马飞

申请人：

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L29778 H01L21335 H01L21311 H01L2128

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210312

共 50 条

[1]

GaN器件及制备方法 [P].

莫炯炯 ;

王志宇 ;

陈华 ;

刘家瑞 ;

郁发新 .

中国专利 :CN111584619A ,2020-08-25

[2]

GaN器件及制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

周康 ;

蔡泉福 ;

郑礼锭 .

中国专利 :CN112864015B ,2021-05-28

[3]

多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

余阳 ;

李仁杰 ;

王东歌 ;

高枫 .

中国专利 :CN114937598A ,2022-08-23

[4]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

吕贝贝 ;

赵文杰 .

中国专利 :CN113053749B ,2021-06-29

[5]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742A ,2021-06-29

[6]

GaN器件及制备方法 [P].

王文博 ;

邱士起 ;

周康 ;

黄捷 ;

马飞 .

中国专利 :CN113053742B ,2024-06-11

[7]

GaN器件及制备方法 [P].

郁发新 ;

莫炯炯 ;

郎加顺 ;

张立星 .

中国专利 :CN113053748B ,2021-06-29

[8]

GaN器件及制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

周康 .

中国专利 :CN113035935A ,2021-06-25

[9]

一种结型栅GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

郁鑫鑫 ;

李忠辉 ;

周立坤 ;

沈睿 ;

谯兵 .

中国专利 :CN120343943A ,2025-07-18

[10]

GaN器件结构及制备方法 [P].

赵绪然 ;

陈鹏 .

中国专利 :CN112509996B ,2021-03-16

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