一种结型栅GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510527362.4

申请日：

2025-04-24

公开(公告)号：

CN120343943A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

郁鑫鑫李忠辉周立坤沈睿谯兵

申请人：

中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

王雨濛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省大连市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250424
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[2]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[3]

一种T型P-GaN栅GaN射频HEMT器件及其制备方法 [P].

王仝 ;

何佳琦 ;

刘志宏 ;

周瑾 ;

冯欣 ;

杜航海 ;

张苇杭 ;

邢伟川 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789465A ,2025-04-08

[4]

一种C:GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

李秋爽 ;

翟丽荔 ;

游淑珍 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119815864A ,2025-04-11

[5]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[6]

P型栅HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117810249A ,2024-04-02

[7]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[8]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16

[9]

一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19

[10]

一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

裴轶 ;

张乃千 ;

邓光敏 .

中国专利 :CN104393037B ,2015-03-04

← 1 2 3 4 5 →