一种A1GaN/GaN HEMT器件的隔离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810017836.7

申请日：

2008-03-28

公开(公告)号：

CN101252100A

公开(公告)日：

2008-08-27

发明(设计)人：

张进城董作典郝跃郑鹏天秦雪雪刘林杰王冲冯倩

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L21762 H01L21335

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

韦全生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101610750553 IPC(主分类):H01L 21/82 专利号:ZL2008100178367 申请日:20080328 授权公告日:20100414 终止日期:20140328
2008-08-27	公开	公开
2010-04-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型增强型A1GaN/GaN HEMT器件的实现方法 [P].

张进城 ;

郑鹏天 ;

郝跃 ;

董作典 ;

王冲 ;

张金风 ;

吕玲 ;

秦雪雪 .

中国专利 :CN101252088A ,2008-08-27

[2]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[3]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[4]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22

[5]

GaN HEMT器件 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN205159335U ,2016-04-13

[6]

双向GaN HEMT器件与双向GaN HEMT器件的制备方法 [P].

庞亚楠 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

安原 .

中国专利 :CN118263295A ,2024-06-28

[7]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[8]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273A ,2024-07-30

[9]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273B ,2024-08-27

[10]

一种GaN HEMT器件 [P].

黎明 .

中国专利 :CN206322705U ,2017-07-11

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