一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010545467.6

申请日：

2010-11-12

公开(公告)号：

CN102110751A

公开(公告)日：

2011-06-29

发明(设计)人：

潘新花黄靖云叶志镇丁萍张宏海

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L3312 H01L3300

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

韩介梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-29	公开	公开
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101523597134 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105454676 申请公布日:20110629
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096113793 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105454676 申请日:20101112

共 50 条

[1]

GaN基自旋发光器件及其制备方法 [P].

吴志明 ;

胡玮琳 ;

许飞雅 ;

吴雅苹 ;

李煦 ;

康俊勇 .

中国专利 :CN116314497B ,2025-11-04

[2]

一种GaN发光器件及其制备方法 [P].

袁国栋 ;

王克超 ;

李晋闽 ;

吴瑞伟 ;

黄芳 ;

王乐 .

中国专利 :CN105140364A ,2015-12-09

[3]

一种蓝宝石基透明近紫外发光器件制备工艺设备及方法 [P].

杨少延 ;

石超 ;

刘祥林 ;

李成明 ;

郭柏君 ;

陈兆显 .

中国专利 :CN118315498B ,2024-08-09

[4]

一种蓝宝石基透明近紫外发光器件制备工艺设备及方法 [P].

杨少延 ;

石超 ;

刘祥林 ;

李成明 ;

郭柏君 ;

陈兆显 .

中国专利 :CN118315498A ,2024-07-09

[5]

一种GaN基外延结构及其制作方法、GaN基发光器件 [P].

卓祥景 ;

程伟 ;

史成丹 ;

王莎莎 ;

万志 ;

刘文辉 .

中国专利 :CN116111018B ,2025-11-11

[6]

一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法 [P].

潘新花 ;

黄靖云 ;

叶志镇 ;

丁萍 ;

吕斌 .

中国专利 :CN102185071A ,2011-09-14

[7]

ZnO－GaN复合衬底GaN发光器件及其制备方法 [P].

杜国同 ;

胡礼中 ;

秦福文 ;

刘维峰 ;

杨天鹏 .

中国专利 :CN1716653A ,2006-01-04

[8]

GaN基发光器件制作方法及其器件结构 [P].

罗毅 ;

韩彦军 .

中国专利 :CN100364123C ,2005-12-14

[9]

GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法 [P].

章勇 ;

严启荣 ;

李述体 ;

范广涵 .

中国专利 :CN102347408B ,2012-02-08

[10]

一种GaN基CMOS器件及其制备方法 [P].

卢星 ;

裴艳丽 ;

成声亮 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN115497938B ,2025-10-17

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