GaN基自旋发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310116610.7

申请日：

2023-02-15

公开(公告)号：

CN116314497B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

吴志明胡玮琳许飞雅吴雅苹李煦康俊勇

申请人：

厦门大学

申请人地址：

361000 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H10H20/825

IPC分类号：

H10H20/815 H10H20/816 H10H20/01

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

连耀忠

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102473805A ,2012-05-23

[2]

GaN基半导体发光器件及其制造方法 [P].

赵济熙 ;

郭准燮 .

中国专利 :CN101051661A ,2007-10-10

[3]

有机电致发光器件及其制备方法 [P].

周明杰 ;

王平 ;

黄辉 ;

陈吉星 .

中国专利 :CN103137888A ,2013-06-05

[4]

有机电致发光器件及其制备方法 [P].

周明杰 ;

王平 ;

冯小明 ;

张振华 .

中国专利 :CN103594634A ,2014-02-19

[5]

电致发光器件及其制备方法 [P].

周明杰 ;

王平 ;

黄辉 ;

张振华 .

中国专利 :CN103137877B ,2013-06-05

[6]

ZnO－GaN复合衬底GaN发光器件及其制备方法 [P].

杜国同 ;

胡礼中 ;

秦福文 ;

刘维峰 ;

杨天鹏 .

中国专利 :CN1716653A ,2006-01-04

[7]

GaN基发光器件制作方法及其器件结构 [P].

罗毅 ;

韩彦军 .

中国专利 :CN100364123C ,2005-12-14

[8]

GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法 [P].

章勇 ;

严启荣 ;

李述体 ;

范广涵 .

中国专利 :CN102347408B ,2012-02-08

[9]

发光器件及其制备方法 [P].

江沛 ;

李佳育 ;

徐君哲 ;

陈书志 ;

段淼 ;

尹勇明 ;

吴永伟 ;

何波 .

中国专利 :CN110943177A ,2020-03-31

[10]

柔性有机发光器件及其制备方法 [P].

周明杰 ;

王平 ;

冯小明 ;

陈吉星 .

中国专利 :CN103427029A ,2013-12-04

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