制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910235336.5

申请日：

2009-09-30

公开(公告)号：

CN102031560A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

胡强段瑞飞魏同波杨建坤霍自强曾一平

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-27	公开	公开
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101523596812 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2009102353365 申请公布日:20110427
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079141092 IPC(主分类):C30B 25/02 专利申请号:2009102353365 申请日:20090930

共 50 条

[1]

一种大尺寸GaN衬底的制备方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107574477A ,2018-01-12

[2]

一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107611004A ,2018-01-19

[3]

制备自支撑GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023516A ,2018-12-18

[4]

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 [P].

张雷 ;

齐占国 ;

俞娇仙 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘磊 .

中国专利 :CN115992385B ,2025-03-14

[5]

获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

徐剑 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

刘治国 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1140915C ,2002-11-27

[6]

一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

向鹏 .

中国专利 :CN102214557A ,2011-10-12

[7]

通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法 [P].

郝霄鹏 ;

邵永亮 ;

张雷 ;

吴拥中 ;

戴元滨 ;

田媛 ;

霍勤 .

中国专利 :CN104060323A ,2014-09-24

[8]

一种制备GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

熊则宁 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109056058A ,2018-12-21

[9]

一种制备GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

熊则宁 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107587190A ,2018-01-16

[10]

制备GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023515A ,2018-12-18

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