GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780034925.6

申请日：

2007-09-14

公开(公告)号：

CN101517134A

公开(公告)日：

2009-08-26

发明(设计)人：

森冈理高草木操清水孝幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1634 C30B2514 H01L21205

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

熊玉兰;孙秀武

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-05-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101582204146 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2007800349256 申请公布日:20090826
2009-08-26	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[2]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[3]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[4]

一种GaN单晶生长装置及GaN单晶生长方法 [P].

张敏 ;

刘南柳 ;

姜永京 ;

王琦 .

中国专利 :CN117758367A ,2024-03-26

[5]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

西本达也 .

中国专利 :CN1240304A ,2000-01-05

[6]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1283306A ,2001-02-07

[7]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1542992A ,2004-11-03

[8]

GaN单晶薄膜及含该GaN单晶薄膜的电器元件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203118992U ,2013-08-07

[9]

GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN102011191A ,2011-04-13

[10]

一种GaN单晶生长装置 [P].

张敏 ;

刘南柳 ;

刘强 ;

姜永京 ;

肖继宗 ;

王琦 .

中国专利 :CN117966275A ,2024-05-03

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