GaN单晶衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99108644.9

申请日：

1999-06-18

公开(公告)号：

CN1240304A

公开(公告)日：

2000-01-05

发明(设计)人：

元木健作冈久拓司松本直树西本达也

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120 C30B2940 C30B2500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-04-06	授权	授权
2000-01-05	公开	公开
1999-11-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101673084475 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL991086449 申请日:19990618 授权公告日:20050406 终止日期:20150618

共 50 条

[1]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1283306A ,2001-02-07

[2]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1542992A ,2004-11-03

[3]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[4]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[5]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[6]

GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 [P].

森冈理 ;

高草木操 ;

清水孝幸 .

中国专利 :CN101517134A ,2009-08-26

[7]

高散热的GaN单晶衬底及其制备方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

梁智文 ;

姜永京 ;

张国义 .

中国专利 :CN112164976A ,2021-01-01

[8]

衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 [P].

刘良宏 ;

许彬 ;

张海涛 .

中国专利 :CN111607825A ,2020-09-01

[9]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[10]

GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN102011191A ,2011-04-13

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