GaN晶体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710092177.9

申请日：

2007-04-02

公开(公告)号：

CN101070619B

公开(公告)日：

2007-11-14

发明(设计)人：

藤田俊介笠井仁

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-09	授权	授权
2015-05-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101610749967 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2007100921779 申请日:20070402 授权公告日:20110309 终止日期:20140402
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[2]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[3]

GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN101037807A ,2007-09-19

[4]

生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 .

中国专利 :CN103124811A ,2013-05-29

[5]

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底 [P].

松本直树 ;

佐藤史隆 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101319402A ,2008-12-10

[6]

制备GaN晶体衬底的方法 [P].

冈久拓司 .

中国专利 :CN1645567A ,2005-07-27

[7]

GaN衬底储存方法 [P].

井尻英幸 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN104022013B ,2014-09-03

[8]

GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 [P].

森勇介 ;

佐佐木孝友 ;

川村史朗 ;

吉村政志 ;

川原实 ;

北冈康夫 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN101583745B ,2009-11-18

[9]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

[10]

GaN衬底以及采用该衬底的器件 [P].

秋田胜史 .

中国专利 :CN102339915A ,2012-02-01

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