GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810109546.5

申请日：

2008-06-02

公开(公告)号：

CN101319402A

公开(公告)日：

2008-12-10

发明(设计)人：

松本直树佐藤史隆中畑成二冈久拓司上松康二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2520

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

梁晓广;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-10	公开	公开
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-05-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101353740271 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2008101095465 公开日:20081210

共 50 条

[1]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[2]

生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 .

中国专利 :CN103124811A ,2013-05-29

[3]

GaN晶体衬底 [P].

藤田俊介 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101070619B ,2007-11-14

[4]

生长GaN晶体的方法 [P].

上松康二 ;

吉田浩章 ;

森下昌纪 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN102099896A ,2011-06-15

[5]

GaN晶体及GaN晶体的制造方法 [P].

矶宪司 ;

尾谷卓史 ;

大岛祐一 .

日本专利 :CN119923494A ,2025-05-02

[6]

制备GaN晶体衬底的方法 [P].

冈久拓司 .

中国专利 :CN1645567A ,2005-07-27

[7]

GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 [P].

森勇介 ;

佐佐木孝友 ;

川村史朗 ;

吉村政志 ;

川原实 ;

北冈康夫 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN101583745B ,2009-11-18

[8]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[9]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

日本专利 :CN114026274B ,2024-11-12

[10]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

中国专利 :CN114026274A ,2022-02-08

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