GaN晶体及GaN晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380063619.4

申请日：

2023-08-31

公开(公告)号：

CN119923494A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

矶宪司尾谷卓史大岛祐一

申请人：

三菱化学株式会社国立研究开发法人物质·材料研究机构

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

C30B25/20 C23C16/34 H01L21/205

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王轩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/38申请日:20230831
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 [P].

森勇介 ;

佐佐木孝友 ;

川村史朗 ;

吉村政志 ;

川原实 ;

北冈康夫 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN101583745B ,2009-11-18

[2]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

日本专利 :CN114026274B ,2024-11-12

[3]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

中国专利 :CN114026274A ,2022-02-08

[4]

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底 [P].

松本直树 ;

佐藤史隆 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101319402A ,2008-12-10

[5]

生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 .

中国专利 :CN103124811A ,2013-05-29

[6]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[7]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[8]

制造GaN或AlGaN晶体的方法 [P].

阿明·戴德加 ;

阿洛伊斯·克罗斯特 .

中国专利 :CN101080516B ,2007-11-28

[9]

生长GaN晶体的方法 [P].

上松康二 ;

吉田浩章 ;

森下昌纪 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN102099896A ,2011-06-15

[10]

GaN晶体衬底 [P].

藤田俊介 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101070619B ,2007-11-14

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