块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080047247.2

申请日：

2020-06-30

公开(公告)号：

CN114026274A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

三川豊冈野哲雄

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B710

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

杨薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20200630
2022-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

日本专利 :CN114026274B ,2024-11-12

[2]

GaN晶体及GaN晶体的制造方法 [P].

矶宪司 ;

尾谷卓史 ;

大岛祐一 .

日本专利 :CN119923494A ,2025-05-02

[3]

GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 [P].

森勇介 ;

佐佐木孝友 ;

川村史朗 ;

吉村政志 ;

川原实 ;

北冈康夫 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN101583745B ,2009-11-18

[4]

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底 [P].

松本直树 ;

佐藤史隆 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101319402A ,2008-12-10

[5]

生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 .

中国专利 :CN103124811A ,2013-05-29

[6]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[7]

GaN晶体衬底 [P].

藤田俊介 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101070619B ,2007-11-14

[8]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[9]

GaN基板晶片和GaN基板晶片的制造方法 [P].

矶宪司 .

中国专利 :CN113692459A ,2021-11-23

[10]

GaN基板晶片和GaN基板晶片的制造方法 [P].

矶宪司 .

日本专利 :CN113692459B ,2024-07-09

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