制造GaN或AlGaN晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580043154.8

申请日：

2005-10-17

公开(公告)号：

CN101080516B

公开(公告)日：

2007-11-28

发明(设计)人：

阿明·戴德加阿洛伊斯·克罗斯特

申请人：

申请人地址：

德国马格德堡

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2302

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

宋莉;贾静环

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101636685953 IPC(主分类):C30B 23/00 专利号:ZL2005800431548 申请日:20051017 授权公告日:20110608 终止日期:20141017
2011-06-08	授权	授权
2008-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN晶体及GaN晶体的制造方法 [P].

矶宪司 ;

尾谷卓史 ;

大岛祐一 .

日本专利 :CN119923494A ,2025-05-02

[2]

GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置 [P].

森勇介 ;

佐佐木孝友 ;

川村史朗 ;

吉村政志 ;

川原实 ;

北冈康夫 ;

森下昌纪 .

中国专利 :CN101583745B ,2009-11-18

[3]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

日本专利 :CN114026274B ,2024-11-12

[4]

块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法 [P].

三川豊 ;

冈野哲雄 .

中国专利 :CN114026274A ,2022-02-08

[5]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[6]

生长GaN晶体的方法和GaN晶体衬底 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 .

中国专利 :CN103124811A ,2013-05-29

[7]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[8]

GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底 [P].

松本直树 ;

佐藤史隆 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101319402A ,2008-12-10

[9]

具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

王彦东 ;

黄芸佳 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN109888009B ,2019-06-14

[10]

生长GaN晶体的方法 [P].

上松康二 ;

吉田浩章 ;

森下昌纪 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN102099896A ,2011-06-15

← 1 2 3 4 5 →