GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710005341.8

申请日：

2007-02-14

公开(公告)号：

CN101037807A

公开(公告)日：

2007-09-19

发明(设计)人：

田中仁子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

H01L3300 H01L2120

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101651451850 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2007100053418 申请公布日:20070919
2007-09-19	公开	公开
2008-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[2]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608899A ,2014-02-26

[3]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN105755534A ,2016-07-13

[4]

GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法 [P].

井尻英幸 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101090062A ,2007-12-19

[5]

半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体晶体生长衬底 [P].

苫米地秀一 .

中国专利 :CN103367112B ,2013-10-23

[6]

半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法 [P].

高桥英树 ;

金田充 .

中国专利 :CN1485927A ,2004-03-31

[7]

GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法 [P].

中幡英章 ;

藤原伸介 ;

樱田隆 ;

山本喜之 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101922045A ,2010-12-22

[8]

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件 [P].

永野元 ;

水岛一郎 ;

宫野清孝 .

中国专利 :CN1670956A ,2005-09-21

[9]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[10]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

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