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半导体器件的制造方法、半导体器件以及半导体晶体生长衬底
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210587265.7
申请日：
2012-12-28
公开(公告)号：
CN103367112B
公开(公告)日：
2013-10-23
发明(设计)人：
苫米地秀一
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
H01L21335
H01L29778
H01L2906
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
顾晋伟;全万志
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2013-10-23 | 公开 | 公开 |
| 2017-03-01 | 授权 | 授权 |
| 2013-11-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542125743 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012105872657 申请日:20121228 |