衬底、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280030546.0

申请日：

2012-08-02

公开(公告)号：

CN103608899A

公开(公告)日：

2014-02-26

发明(设计)人：

石桥惠二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581020775 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2012800305460 申请日:20120802
2014-02-26	公开	公开
2016-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN105755534A ,2016-07-13

[2]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335A ,2021-11-26

[3]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335B ,2024-07-23

[4]

导体衬底，半导体器件及其制造方法 [P].

关和光 ;

宫原义仁 ;

吴宗昭 .

中国专利 :CN100592501C ,2004-10-20

[5]

GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN101037807A ,2007-09-19

[6]

半导体器件、组合衬底及其制造方法 [P].

盐见弘 ;

玉祖秀人 .

中国专利 :CN102668023A ,2012-09-12

[7]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

宫野清孝 ;

水岛一郎 .

中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22

[8]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[9]

半导体衬底和半导体器件及其制造方法 [P].

金田充 ;

高桥英树 .

中国专利 :CN100423285C ,2004-05-05

[10]

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件 [P].

永野元 ;

水岛一郎 ;

宫野清孝 .

中国专利 :CN1670956A ,2005-09-21

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