导体衬底，半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410033875.8

申请日：

2004-04-15

公开(公告)号：

CN100592501C

公开(公告)日：

2004-10-20

发明(设计)人：

关和光宫原义仁吴宗昭

申请人：

申请人地址：

日本长野县

IPC主分类号：

H01L2312

IPC分类号：

H01L2328 H01L23495 H01L2300

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	授权	授权
2004-10-20	公开	公开
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608899A ,2014-02-26

[2]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335A ,2021-11-26

[3]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件 [P].

黄伯宁 ;

万玉喜 ;

王弋宇 .

中国专利 :CN113711335B ,2024-07-23

[4]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[5]

半导体衬底及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

永野元 ;

宫野清孝 ;

水岛一郎 .

中国专利 :CN1288717C ,2004-09-22

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[7]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[8]

半导体衬底和半导体器件及其制造方法 [P].

金田充 ;

高桥英树 .

中国专利 :CN100423285C ,2004-05-05

[9]

半导体衬底及其制造方法以及半导体器件 [P].

永野元 ;

水岛一郎 ;

宫野清孝 .

中国专利 :CN1670956A ,2005-09-21

[10]

半导体器件、组合衬底及其制造方法 [P].

盐见弘 ;

玉祖秀人 .

中国专利 :CN102668023A ,2012-09-12

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