GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010202934.5

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN101922045A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

中幡英章藤原伸介樱田隆山本喜之中畑成二上村智喜

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2502 H01L2920 H01L2102

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	授权	授权
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101288715696 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2010102029345 申请日:20100610
2019-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20100610 授权公告日:20141015 终止日期:20180610
2010-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN101037807A ,2007-09-19

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张超 ;

吴关平 ;

刘波 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN103137470B ,2013-06-05

[3]

半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄河 ;

汪新学 ;

徐海瑛 ;

王敬平 .

中国专利 :CN114446936A ,2022-05-06

[4]

半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄河 ;

汪新学 ;

徐海瑛 ;

王敬平 .

中国专利 :CN114446994A ,2022-05-06

[5]

无结晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104009078A ,2014-08-27

[6]

半导体器件及其制造方法和半导体器件制造工艺评价方法 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1306586C ,2005-02-02

[7]

无结晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104299905B ,2015-01-21

[8]

半导体元件及其制造方法，和半导体器件及其制造方法 [P].

西山知宏 ;

田子雅基 .

中国专利 :CN1437256A ,2003-08-20

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

房育涛 ;

刘庭 ;

付汝起 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN115498020A ,2022-12-20

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN113421869B ,2021-09-21

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