GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710110168.8

申请日：

2007-06-14

公开(公告)号：

CN101090062A

公开(公告)日：

2007-12-19

发明(设计)人：

井尻英幸中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21673 H01L2120 H01L2300 H01L3300 B65D8586 B65D8118

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-12-19	公开	公开
2014-12-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101708221613 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2007101101688 申请公布日:20071219

共 50 条

[1]

GaN衬底储存方法 [P].

井尻英幸 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN104022013B ,2014-09-03

[2]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[3]

GaN晶体衬底及其制造方法以及制造半导体器件的方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN101037807A ,2007-09-19

[4]

GaN衬底、制造GaN衬底的方法、制造接合有GaN层的衬底的方法和制造半导体器件的方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102308032A ,2012-01-04

[5]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN105755534A ,2016-07-13

[6]

衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608899A ,2014-02-26

[7]

保存GaN衬底的方法、保存的GaN衬底以及半导体器件及其制造方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN102471932A ,2012-05-23

[8]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[9]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[10]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

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