半导体器件外延生长的隐形结构衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210534126.8

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN102978695A

公开(公告)日：

2013-03-20

发明(设计)人：

罗睿宏梁智文张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

谭一兵;王东亮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741080015 IPC(主分类):C30B 25/18 专利申请号:2012105341268 申请公布日:20130320
2013-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101438520820 IPC(主分类):C30B 25/18 专利申请号:2012105341268 申请日:20121212
2013-03-20	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[2]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[3]

用于生长外延晶体的半导体衬底及半导体器件 [P].

阿列克谢·伊瓦诺夫 ;

朱廷刚 ;

伊迪亚·乔德瑞 ;

苗操 ;

王科 ;

王东盛 ;

张葶葶 ;

魏鸿源 .

中国专利 :CN104681411A ,2015-06-03

[4]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

[5]

半导体外延生长衬底 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN102856451A ,2013-01-02

[6]

半导体外延生长衬底 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN203085624U ,2013-07-24

[7]

半导体衬底、外延片和半导体器件 [P].

丁涛 ;

王朋 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN120749001A ,2025-10-03

[8]

本征外延生长方法、半导体结构和半导体器件 [P].

陆爱军 .

中国专利 :CN119811985A ,2025-04-11

[9]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102471931B ,2012-05-23

[10]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

← 1 2 3 4 5 →