III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080029429.3

申请日：

2010-07-14

公开(公告)号：

CN102471931B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

石桥惠二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1634 C30B2940 H01L21205 H01L3332

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2015-07-29	授权	授权
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101344525307 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2010800294293 申请日:20100714

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

[2]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04

[3]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[4]

Ⅲ族氮化物半导体器件、外延衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件的制作方法 [P].

京野孝史 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101919076B ,2010-12-15

[5]

氮化物半导体外延衬底及半导体器件 [P].

田中丈士 .

中国专利 :CN109103251A ,2018-12-28

[6]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[7]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

木山诚 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06

[8]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

[9]

氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101060102A ,2007-10-24

[10]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

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