氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710135923.8

申请日：

2007-03-12

公开(公告)号：

CN101060102A

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

大岛佑一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2120 H01L3300 C30B2938 C30B2940 C30B2502

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

葛松生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-24	公开	公开
2015-01-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709666016 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007101359238 变更事项:专利权人变更前权利人:日立电线株式会社变更后权利人:日立金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20141222
2016-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730229501 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007101359238 登记生效日:20160310 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社赛奥科思变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都
2021-02-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20070312 授权公告日:20101229 终止日期:20200312
2010-12-29	授权	授权
2015-09-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720167971 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007101359238 变更事项:专利权人变更前权利人:日立金属株式会社变更后权利人:株式会社赛奥科思变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本茨城县登记生效日:20150813

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102471931B ,2012-05-23

[2]

氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1933195A ,2007-03-21

[3]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

[4]

氮化物半导体外延衬底及半导体器件 [P].

田中丈士 .

中国专利 :CN109103251A ,2018-12-28

[5]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[6]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[7]

氮化物半导体发光元件及外延衬底 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

善积祐介 ;

住友隆道 .

中国专利 :CN102422496A ,2012-04-18

[8]

氮化物半导体发光器件 [P].

高野隆好 ;

椿健治 ;

平山秀树 ;

藤川纱千惠 .

中国专利 :CN101981711B ,2011-02-23

[9]

氮化物半导体发光器件 [P].

工藤广光 ;

只友一行 ;

冈川广明 ;

山田智雄 .

中国专利 :CN1993835A ,2007-07-04

[10]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

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