氮化物半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980110753.5
申请日
2009-03-23
公开(公告)号
CN101981711B
公开(公告)日
2011-02-23
发明(设计)人
高野隆好 椿健治 平山秀树 藤川纱千惠
申请人
申请人地址
日本大阪府门真市
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
顾晋伟;王春伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
朴英豪 ;
曹孝京 ;
柳承珍 ;
高建维 .
中国专利 :CN1630110A ,2005-06-22
[2]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
中村修二 ;
长滨慎一 ;
岩佐成人 ;
清久裕之 .
中国专利 :CN101465400B ,2009-06-24
[3]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
驹田聪 .
中国专利 :CN101188262B ,2008-05-28
[4]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN101499618B ,2009-08-05
[5]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
川口佳伸 .
中国专利 :CN101499619B ,2009-08-05
[6]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
中村修二 ;
长滨慎一 ;
岩佐成人 ;
清久裕之 .
中国专利 :CN1790761A ,2006-06-21
[7]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
笔田麻佑子 .
中国专利 :CN101431141B ,2009-05-13
[8]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
黄硕珉 ;
金显炅 ;
高健维 ;
洪相寿 ;
李奎翰 ;
闵垘基 .
中国专利 :CN1913186A ,2007-02-14
[9]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
神川刚 ;
金子佳加 ;
元木健作 .
中国专利 :CN100370661C ,2006-07-05
[10]
氮化物半导体发光器件 [P]. 
中村修二 ;
长滨慎一 ;
岩佐成人 ;
清久裕之 .
中国专利 :CN1132942A ,1996-10-09