氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410011852.7

申请日：

2004-09-22

公开(公告)号：

CN100361323C

公开(公告)日：

2005-04-06

发明(设计)人：

入仓正登饼田恭志中山雅博

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101145512317 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2004100118527 申请日:20040922 授权公告日:20080109 终止日期:20100922
2008-01-09	授权	授权
2005-04-06	公开	公开
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100416868C ,2004-11-24

[2]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN1994676A ,2007-07-11

[3]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[4]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[5]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[6]

氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

日本专利 :CN114423891B ,2024-09-06

[7]

氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN114423891A ,2022-04-29

[8]

半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 [P].

松本直树 .

中国专利 :CN100424817C ,2005-05-04

[9]

氮化物半导体衬底及其制造方法 [P].

高见泽彰一 .

美国专利 :CN113874559B ,2025-09-05

[10]

氮化物半导体衬底及其制造方法 [P].

高见泽彰一 .

中国专利 :CN113874559A ,2021-12-31

← 1 2 3 4 5 →