氮化物半导体衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080035782.6

申请日：

2020-02-18

公开(公告)号：

CN113874559B

公开(公告)日：

2025-09-05

发明(设计)人：

高见泽彰一

申请人：

德州仪器公司

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/205 H01L21/265 C30B29/38

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

授权

国省代码：

山东省德州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-05	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体衬底及其制造方法 [P].

高见泽彰一 .

中国专利 :CN113874559A ,2021-12-31

[2]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[3]

半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 [P].

松本直树 .

中国专利 :CN100424817C ,2005-05-04

[4]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[5]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[6]

氮化物半导体衬底及其制造方法 [P].

金杜洙 ;

李浩准 ;

金容进 ;

李东键 .

中国专利 :CN101207174A ,2008-06-25

[7]

氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置 [P].

大岛佑一 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102212883B ,2011-10-12

[8]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[9]

半导体用氮化物衬底及其制备方法 [P].

松本直树 .

中国专利 :CN101339926A ,2009-01-07

[10]

氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置 [P].

三宅秀人 .

中国专利 :CN115064621A ,2022-09-16

← 1 2 3 4 5 →