氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280052314.9

申请日：

2022-02-15

公开(公告)号：

CN117716509A

公开(公告)日：

2024-03-15

发明(设计)人：

出来真斗陆顺天野浩本田善央田中敦之伊藤佑太

申请人：

国立大学法人东海国立大学机构

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L29/45

IPC分类号：

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

袁波;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省连云港市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/45申请日:20220215
2024-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[2]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[3]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[4]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[5]

氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置 [P].

大岛佑一 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102212883B ,2011-10-12

[6]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[7]

氮化物半导体元件及氮化物半导体装置 [P].

方韬钧 .

日本专利 :CN117913087A ,2024-04-19

[8]

氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN101996862B ,2011-03-30

[9]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[10]

氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN102154704A ,2011-08-17

← 1 2 3 4 5 →