氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法

被引：0

申请号：

CN202210096948.6

申请日：

2022-01-27

公开(公告)号：

CN115706142A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

彦坂年辉名古肇田岛纯平布上真也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29201 H01L29207 H01L29778 H01L21335

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

金春实

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[2]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[3]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[4]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[5]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 [P].

太田征孝 ;

神川刚 .

中国专利 :CN101997268A ,2011-03-30

[6]

氮化物半导体装置以及制造氮化物半导体装置的方法 [P].

富田英干 ;

上田博之 ;

森朋彦 .

中国专利 :CN109638076A ,2019-04-16

[7]

氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

泷口雄贵 ;

西村邦彦 ;

吹田宗义 ;

山田高宽 .

日本专利 :CN119404609A ,2025-02-07

[8]

氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置 [P].

佐藤宪 .

日本专利 :CN120730789A ,2025-09-30

[9]

氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

高山大希 .

日本专利 :CN120980908A ,2025-11-18

[10]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法 [P].

盐田伦也 ;

洪洪 ;

黄钟日 ;

佐藤泰辅 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102790147B ,2012-11-21

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