氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280097195.9

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN119404609A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

泷口雄贵西村邦彦吹田宗义山田高宽

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D30/87 H10D30/01

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

刘蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20220629
2025-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[2]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[3]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[4]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[5]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[6]

氮化物半导体装置以及制造氮化物半导体装置的方法 [P].

富田英干 ;

上田博之 ;

森朋彦 .

中国专利 :CN109638076A ,2019-04-16

[7]

氮化物半导体装置的制造方法以及氮化物半导体装置 [P].

佐藤宪 .

日本专利 :CN120730789A ,2025-09-30

[8]

氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

高山大希 .

日本专利 :CN120980908A ,2025-11-18

[9]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法 [P].

盐田伦也 ;

洪洪 ;

黄钟日 ;

佐藤泰辅 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102790147B ,2012-11-21

[10]

氮化物半导体装置及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

畑洋辅 .

日本专利 :CN119521707A ,2025-02-25

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