氮化物半导体装置及氮化物半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411104398.3

申请日：

2024-08-13

公开(公告)号：

CN119521707A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

畑洋辅

申请人：

罗姆股份有限公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

奚勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[2]

氮化物半导体装置及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

西村勇 .

日本专利 :CN118136659A ,2024-06-04

[3]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[4]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[5]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[6]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[7]

氮化物半导体元件及氮化物半导体装置 [P].

方韬钧 .

日本专利 :CN117913087A ,2024-04-19

[8]

氮化物半导体装置及氮化物半导体模块 [P].

舘毅 .

日本专利 :CN118676196A ,2024-09-20

[9]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[10]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

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