氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010148168.9

申请日：

2010-03-24

公开(公告)号：

CN101996862B

公开(公告)日：

2011-03-30

发明(设计)人：

藤仓序章

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L3332 H01S5323

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN102154704A ,2011-08-17

[2]

氮化物半导体自支撑衬底和氮化物半导体发光元件 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101090096A ,2007-12-19

[3]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[4]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[5]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[6]

氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN109312491A ,2019-02-05

[7]

氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置 [P].

大岛佑一 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102212883B ,2011-10-12

[8]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100416868C ,2004-11-24

[9]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN1994676A ,2007-07-11

[10]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101699726113 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010101481689 变更事项:申请人变更前权利人:日立电线株式会社变更后权利人:日立金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20140312
2015-09-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:日立金属株式会社变更后权利人:株式会社赛奥科思变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本茨城县登记生效日:20150812 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720164784 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2010101481689
2016-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730270676 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2010101481689 登记生效日:20160311 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社赛奥科思变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都
2012-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101267321513 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010101481689 申请日:20100324
2014-08-06	授权	授权
2011-03-30	公开	公开