氮化物半导体模板、氮化物半导体模板的制造方法以及氮化物半导体自支撑基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780037496.1

申请日：

2017-01-24

公开(公告)号：

CN109312491A

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

藤仓序章今野泰一郎

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1602 C23C1634 C30B2518 H01L21205

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-05	公开	公开
2021-10-12	授权	授权
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20170124
2021-11-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/38 登记生效日:20211112 变更事项:专利权人变更前权利人:赛奥科思有限公司变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都变更事项:专利权人变更前权利人:住友化学株式会社

共 50 条

[1]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[2]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[3]

氮化物半导体基板及氮化物半导体基板的制造方法 [P].

久保野一平 ;

萩本和德 ;

北爪大地 .

日本专利 :CN118900941A ,2024-11-05

[4]

氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN110731002A ,2020-01-24

[5]

氮化物半导体层叠物、半导体装置、氮化物半导体层叠物的制造方法、氮化物半导体自支撑基板的制造方法以及半导体装置的制造方法 [P].

藤仓序章 .

日本专利 :CN110731002B ,2024-02-02

[6]

氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN102154704A ,2011-08-17

[7]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[8]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[9]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[10]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

← 1 2 3 4 5 →