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氮化物半导体晶体、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010547424.1
申请日：
2010-11-15
公开(公告)号：
CN102154704A
公开(公告)日：
2011-08-17
发明(设计)人：
藤仓序章
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C30B2938
IPC分类号：
H01L2102 H01L2120 H01L2906
代理机构：
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人：
钟晶
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-09-09 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720434581 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010105474241 变更事项:申请人 变更前权利人:日立金属株式会社 变更后权利人:株式会社赛奥科思 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本茨城县 登记生效日:20150819
2014-04-16 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700041784 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2010105474241 变更事项:申请人 变更前权利人:日立电线株式会社 变更后权利人:日立金属株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本东京都 登记生效日:20140324
2016-03-16 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729402654 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2010105474241 登记生效日:20160226 变更事项:专利权人 变更前权利人:株式会社赛奥科思 变更后权利人:住友化学株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本茨城县 变更后权利人:日本东京都
2015-09-16 授权 授权
2021-10-26 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101115 授权公告日:20150916 终止日期:20201115
2011-08-17 公开 公开
2012-12-12 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101363532164 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2010105474241 申请日:20101115
共 50 条
[1]
氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 [P]. 
藤仓序章 .
中国专利 :CN101996862B ,2011-03-30
[2]
氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P]. 
出来真斗 ;
陆顺 ;
天野浩 ;
本田善央 ;
田中敦之 ;
伊藤佑太 .
日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15
[3]
氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法 [P]. 
盐田伦也 ;
洪洪 ;
黄钟日 ;
佐藤泰辅 ;
杉山直治 ;
布上真也 .
中国专利 :CN102790147B ,2012-11-21
[4]
氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法 [P]. 
吉田学史 ;
彦坂年辉 ;
原田佳幸 ;
杉山直治 ;
布上真也 .
中国专利 :CN103682009A ,2014-03-26
[5]
氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
三宅秀人 .
中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12
[6]
氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
三宅秀人 .
中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12
[7]
制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置 [P]. 
佐藤一成 ;
宫永伦正 ;
山本喜之 .
中国专利 :CN102159755B ,2011-08-17
[8]
氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法 [P]. 
吉田学史 ;
彦坂年辉 ;
原田佳幸 ;
杉山直治 ;
布上真也 .
中国专利 :CN103682008A ,2014-03-26
[9]
氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P]. 
中畑成二 ;
上松康二 ;
中幡英章 .
中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14
[10]
氮化物半导体器件和氮化物半导体器件的制造方法 [P]. 
藤田耕一郎 .
中国专利 :CN105074876A ,2015-11-18
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