氮化物半导体自支撑衬底和氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710096319.9

申请日：

2007-04-10

公开(公告)号：

CN101090096A

公开(公告)日：

2007-12-19

发明(设计)人：

吉田丈洋

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L3300 C30B2938 C30B2940

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

葛松生

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730210194 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007100963199 登记生效日:20160310 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社赛奥科思变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都
2015-01-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709666000 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007100963199 变更事项:专利权人变更前权利人:日立电线株式会社变更后权利人:日立金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20141222
2007-12-19	公开	公开
2008-12-31	授权	授权
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-09-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720164728 IPC(主分类):H01L 23/00 专利号:ZL2007100963199 变更事项:专利权人变更前权利人:日立金属株式会社变更后权利人:株式会社赛奥科思变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本茨城县登记生效日:20150812

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

平野光 ;

长泽阳祐 .

中国专利 :CN111373552A ,2020-07-03

[4]

氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN101996862B ,2011-03-30

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102024885A ,2011-04-20

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101771124A ,2010-07-07

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 ;

风田川统之 .

中国专利 :CN103959580A ,2014-07-30

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN112420889B ,2024-06-18

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