氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置

被引：0

申请号：

CN202210629148.6

申请日：

2016-09-09

公开(公告)号：

CN115064621A

公开(公告)日：

2022-09-16

发明(设计)人：

三宅秀人

申请人：

申请人地址：

日本三重县

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L2102 H01L21324 H01L3300 C23C1618 C23C1634 C23C1656 C30B2518 C30B2940 C30B3302

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

白丽

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[2]

氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

三宅秀人 .

中国专利 :CN107078030B ,2017-08-18

[3]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[4]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[5]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100416868C ,2004-11-24

[6]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN1994676A ,2007-07-11

[7]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[8]

氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN101996862B ,2011-03-30

[9]

氮化物系半导体衬底及其制造方法 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN1960014A ,2007-05-09

[10]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-16	公开	公开
2022-10-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20160909