氮化物系半导体衬底及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610080167.9
申请日
2006-05-10
公开(公告)号
CN1960014A
公开(公告)日
2007-05-09
发明(设计)人
大岛佑一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L2120 C30B2938
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人
钟晶
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 [P]. 
柴田真佐知 .
中国专利 :CN1734247B ,2006-02-15
[2]
氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置 [P]. 
三宅秀人 .
中国专利 :CN115064621A ,2022-09-16
[3]
Ⅲ-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-V族氮化物系半导体 [P]. 
柴田真佐知 .
中国专利 :CN102174713B ,2011-09-07
[4]
氮化物半导体衬底的制造方法 [P]. 
三宅秀人 .
中国专利 :CN107078030B ,2017-08-18
[5]
Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法 [P]. 
柴田真佐知 .
中国专利 :CN100453712C ,2005-03-09
[6]
氮化物半导体衬底及其制造方法 [P]. 
高见泽彰一 .
美国专利 :CN113874559B ,2025-09-05
[7]
氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P]. 
入仓正登 ;
饼田恭志 ;
中山雅博 .
中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06
[8]
氮化物半导体衬底及其制造方法 [P]. 
高见泽彰一 .
中国专利 :CN113874559A ,2021-12-31
[9]
氮化物半导体衬底及其制造方法 [P]. 
金杜洙 ;
李浩准 ;
金容进 ;
李东键 .
中国专利 :CN101207174A ,2008-06-25
[10]
Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 [P]. 
碓井彰 ;
柴田真佐知 ;
大岛祐一 .
中国专利 :CN1219314C ,2002-11-06