Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410057049.7
申请日
2004-08-25
公开(公告)号
CN100453712C
公开(公告)日
2005-03-09
发明(设计)人
柴田真佐知
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2938
IPC分类号
H01L2102
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人
熊志诚
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 [P]. 
柴田真佐知 .
中国专利 :CN1734247B ,2006-02-15
[2]
Ⅲ-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-V族氮化物系半导体 [P]. 
柴田真佐知 .
中国专利 :CN102174713B ,2011-09-07
[3]
ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P]. 
大岛佑一 .
中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23
[4]
氮化物系半导体衬底及其制造方法 [P]. 
大岛佑一 .
中国专利 :CN1960014A ,2007-05-09
[5]
Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P]. 
大岛佑一 .
中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27
[6]
ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法 [P]. 
大岛佑一 .
中国专利 :CN102127815A ,2011-07-20
[7]
Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 [P]. 
碓井彰 ;
柴田真佐知 ;
大岛祐一 .
中国专利 :CN1219314C ,2002-11-06
[8]
氮化物半导体衬底及其制造方法 [P]. 
高见泽彰一 .
美国专利 :CN113874559B ,2025-09-05
[9]
氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P]. 
入仓正登 ;
饼田恭志 ;
中山雅博 .
中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06
[10]
氮化物半导体衬底及其制造方法 [P]. 
高见泽彰一 .
中国专利 :CN113874559A ,2021-12-31